Transistor a canale N STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1350pF. Costo): 175pF. Diodo Trr (min.): 600 ns. Funzione: transistor MOSFET di potenza veloce. ID (min): 25uA. Id(imp): 32A. Marcatura sulla cassa: H8NA60FI. Nota: Viso 4000V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 16 ns. Tecnologia: Modalità di miglioramento. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.75V. Vgs(esimo) min.: 2.25V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54