Transistor a canale N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Transistor a canale N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.68fr
5-24
0.57fr
25-49
0.49fr
50-99
0.45fr
100+
0.38fr
Quantità in magazzino: 141

Transistor a canale N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 150pF. Costo): 30pF. ID (min): 1uA. Id(imp): 4A. Marcatura sulla cassa: 4NF20L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 2 ns. Td(spento): 10.4 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STN4NF20L
25 parametri
ID (T=100°C)
630mA
ID (T=25°C)
1A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
1.1 Ohms
Alloggiamento
SOT-223 ( TO-226 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-223
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
150pF
Costo)
30pF
ID (min)
1uA
Id(imp)
4A
Marcatura sulla cassa
4NF20L
Pd (dissipazione di potenza, massima)
3.3W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
2 ns
Td(spento)
10.4 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics