Transistor a canale N STP110N8F6, TO-220
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
6.13fr
5-9
5.04fr
10-19
4.85fr
20-49
4.71fr
50+
4.55fr
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Transistor a canale N STP110N8F6, TO-220. Alloggiamento: TO-220. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 150nC. DRUCE CORRENTE: 110A. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. RoHS: sì. Tecnologia: STripFET. Temperatura di funzionamento: -55...175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 80V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 02/01/2026, 03:26
STP110N8F6
13 parametri
Alloggiamento
TO-220
Assemblaggio/installazione
THT
Carica
150nC
DRUCE CORRENTE
110A
Polarità
unipolari
Potenza
200W
RoHS
sì
Tecnologia
STripFET
Temperatura di funzionamento
-55...175°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
80V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics