Transistor a canale N STP11NM80, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1630pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 750pF. Diodo Trr (min.): 612 ns. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. ID (min): 10uA. Id(imp): 44A. Marcatura sulla cassa: P11NM80. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 22 ns. Td(spento): 46 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24