Transistor a canale N STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 10uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5200pF. Corrente di assorbimento massima: 110A. Costo): 785pF. Diodo Trr (min.): 152 ns. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. ID (min): 1uA. Id(imp): 440A. Marcatura sulla cassa: P120NF10. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 312W. Potenza: 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 132 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24