Transistor a canale N STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 790pF. Costo): 60pF. Diodo Trr (min.): 290 ns. Funzione: Bassa capacità di ingresso e carica di gate. ID (min): 1uA. Id(imp): 44A. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: ID pulse 44A. Td(acceso): 3 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24