Transistor a canale N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Transistor a canale N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.95fr
5-24
0.79fr
25-49
0.66fr
50+
0.60fr
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Esaurito

Transistor a canale N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 460pF. Costo): 70pF. Funzione: Carica di input bassa. ID (min): 1uA. Id(imp): 56A. Marcatura sulla cassa: P14NF12. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 32 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STP14NF12
27 parametri
ID (T=100°C)
9A
ID (T=25°C)
14A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.16 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
460pF
Costo)
70pF
Funzione
Carica di input bassa
ID (min)
1uA
Id(imp)
56A
Marcatura sulla cassa
P14NF12
Pd (dissipazione di potenza, massima)
60W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
16 ns
Td(spento)
32 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics