Transistor a canale N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Transistor a canale N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.93fr
5-24
2.54fr
25-49
2.24fr
50+
1.97fr
Quantità in magazzino: 79

Transistor a canale N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2000pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 238pF. Diodo Trr (min.): 470 ns. Funzione: Protezione con diodo Zener. ID (min): 1uA. Id(imp): 48A. Marcatura sulla cassa: P14NK50ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 24 ns. Td(spento): 54 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STP14NK50ZFP
32 parametri
ID (T=100°C)
7.6A
ID (T=25°C)
14A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
0.34 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2000pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
238pF
Diodo Trr (min.)
470 ns
Funzione
Protezione con diodo Zener
ID (min)
1uA
Id(imp)
48A
Marcatura sulla cassa
P14NK50ZFP
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
35W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
24 ns
Td(spento)
54 ns
Tecnologia
SuperMESH ™Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics