Transistor a canale N STP200N4F3, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5100pF. Costo): 1270pF. Diodo Trr (min.): 67 ns. Funzione: commutazione, applicazioni automobilistiche. ID (min): 10uA. Id(imp): 480A. Marcatura sulla cassa: 200N4F3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 90 ns. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24