Transistor a canale N STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 440pF. Costo): 60pF. Diodo Trr (min.): 650 ns. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 1uA. Id(imp): 10.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 15 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24