Transistor a canale N STP60NF06L, TO-220, 60V, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. C(in): 2000pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 360pF. Diodo Trr (min.): 110us. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: carica gate bassa, VGS(th) 1...2,5 V. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 60A. Id(imp): 240A. Marcatura del produttore: P60NF06L. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. RoHS: sì. Spec info: carica gate bassa, VGS(th) 1...2,5 V. Td(acceso): 35 ns. Td(spento): 55 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura massima: +175°C.. Temperatura: +240°C. Tempo di accensione ton [nsec.]: 35 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24