Transistor a canale N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Transistor a canale N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.82fr
5-24
1.55fr
25-49
1.36fr
50-99
1.22fr
100+
1.04fr
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Transistor a canale N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1138pF. Costo): 122pF. Diodo Trr (min.): 530 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 20.8A. Marcatura sulla cassa: P7NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Spec info: Zener-Protected. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

Documentazione tecnica (PDF)
STP7NK80Z
28 parametri
ID (T=100°C)
3.3A
ID (T=25°C)
5.2A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
1.5 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1138pF
Costo)
122pF
Diodo Trr (min.)
530 ns
ID (min)
1uA
Id(imp)
20.8A
Marcatura sulla cassa
P7NK80Z
Pd (dissipazione di potenza, massima)
125W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Spec info
Zener-Protected
Td(acceso)
20 ns
Td(spento)
45 ns
Tecnologia
SuperMESH™ Power MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics