Transistor a canale N STP80NF06, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor a canale N STP80NF06, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.04fr
5-24
1.77fr
25-49
1.50fr
50+
1.44fr
Quantità in magazzino: 97

Transistor a canale N STP80NF06, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3850pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 800pF. Diodo Trr (min.): 80 ns. Funzione: SWITCHING APPLICATION. ID (min): 1uA. Id(imp): 320A. Marcatura sulla cassa: P80NF06. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 70 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

STP80NF06
33 parametri
ID (T=100°C)
80A
ID (T=25°C)
80A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0065 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
3850pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
800pF
Diodo Trr (min.)
80 ns
Funzione
SWITCHING APPLICATION
ID (min)
1uA
Id(imp)
320A
Marcatura sulla cassa
P80NF06
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
25 ns
Td(spento)
70 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics