Transistor a canale N STP9NB60, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: PowerMesh. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58