Transistor a canale N STP9NK60ZFP, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Transistor a canale N STP9NK60ZFP, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.58fr
5-24
1.37fr
25-49
1.22fr
50-99
1.08fr
100+
0.91fr
Quantità in magazzino: 35

Transistor a canale N STP9NK60ZFP, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1110pF. Costo): 135pF. Diodo Trr (min.): 480 ns. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. ID (min): 1uA. Id(imp): 28A. Marcatura sulla cassa: P9NK60ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 43 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

Documentazione tecnica (PDF)
STP9NK60ZFP
31 parametri
ID (T=100°C)
4.4A
ID (T=25°C)
7A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
0.85 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1110pF
Costo)
135pF
Diodo Trr (min.)
480 ns
Funzione
HIGH Current, HIGH Speed Switching
ID (min)
1uA
Id(imp)
28A
Marcatura sulla cassa
P9NK60ZFP
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
30W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
19 ns
Td(spento)
43 ns
Tecnologia
Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics