Transistor a canale N STQ1NK60ZR-AP, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 13 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammopak. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 94pF. Costo): 17.6pF. Diodo Trr (min.): 135 ns. Funzione: Protezione Zener, funzionalità ESD migliorata. ID (min): 1uA. Id(imp): 1.2A. Marcatura sulla cassa: 1NK60ZR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 5.5 ns. Td(spento): 13 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58