Transistor a canale N STW11NK90Z, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.82 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3000pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 240pF. Diodo Trr (min.): 584 ns. Funzione: ZenerProtect. ID (min): 1uA. Id(imp): 36.8A. Marcatura sulla cassa: W11NK90Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 76 ns. Tecnologia: SuperMesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58