Transistor a canale N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3500pF. Costo): 280pF. Diodo Trr (min.): 964ns. Funzione: capacità ESD migliorata. ID (min): 1uA. Id(imp): 44A. Marcatura sulla cassa: W12NK90Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA. Td(acceso): 31 ns. Td(spento): 88 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza SuperMESH™ protetto da diodo zener. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58