Transistor a canale N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

Transistor a canale N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.68fr
5-24
3.25fr
25-49
2.75fr
50+
2.48fr
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Transistor a canale N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V. Tensione drain-source (Vds): 600V. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 50mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2030pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente di assorbimento massima: 13A. Costo): 210pF. Diodo Trr (min.): 570 ns. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. ID (min): 1mA. Id(imp): 40A. Marcatura sulla cassa: W13NK60Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Potenza: 150W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA. Td(acceso): 22 ns. Td(spento): 61 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

Documentazione tecnica (PDF)
STW13NK60Z
37 parametri
Tensione drain-source (Vds)
600V
Rds sulla resistenza attiva
0.48 Ohms
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
13A
Idss (massimo)
50mA
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2030pF
Condizionamento
tubo di plastica
Corrente di assorbimento massima
13A
Costo)
210pF
Diodo Trr (min.)
570 ns
Funzione
HIGH Current, HIGH Speed Switching
ID (min)
1mA
Id(imp)
40A
Marcatura sulla cassa
W13NK60Z
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
160W
Potenza
150W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA
Td(acceso)
22 ns
Td(spento)
61 ns
Tecnologia
Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
30
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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