Transistor a canale N STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.38 Ohms @ 6A. C(in): 2000pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 238pF. Diodo Trr (min.): 470 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. ID (min): 1mA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 14A. Id(imp): 48A. Marcatura del produttore: W14NK50Z. Marcatura sulla cassa: W14NK50Z. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 54 ns. RoHS: sì. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA. Td(acceso): 24 ns. Td(spento): 54 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 24 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58