Transistor a canale N STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1450pF. Costo): 350pF. Diodo Trr (min.): 510 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: W20NM60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 6 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58