Transistor a canale N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Transistor a canale N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.68fr
5-9
3.25fr
10-24
2.87fr
25+
2.66fr
Quantità in magazzino: 34

Transistor a canale N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1250pF. Costo): 128pF. Diodo Trr (min.): 700 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): 1uA. Id(imp): 22.4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 13 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08

Documentazione tecnica (PDF)
STW5NB90
30 parametri
ID (T=100°C)
3.3A
ID (T=25°C)
5.6A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
2.3 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1250pF
Costo)
128pF
Diodo Trr (min.)
700 ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
ID (min)
1uA
Id(imp)
22.4A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
160W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
13 ns
Tecnologia
PowerMESH MOSFET
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics