Transistor a canale N TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1050pF. Costo): 100pF. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Funzione: Regolatore di commutazione. ID (min): 10uA. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 60 ns. Td(spento): 75 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08