Transistor a canale N TK7P60W, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V

Transistor a canale N TK7P60W, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.63fr
5-24
2.29fr
25-49
2.07fr
50+
1.87fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 1878

Transistor a canale N TK7P60W, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 470pF. Costo): 13pF. Diodo Trr (min.): 230 ns. Funzione: per regolatori di tensione in modalità switching. Id(imp): 28A. Marcatura sulla cassa: TK7P60W. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 55 ns. Tecnologia: MOSFET (DTMOSIV). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.7V. Vgs(esimo) min.: 2.7V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08

TK7P60W
29 parametri
ID (T=25°C)
7A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.50 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
470pF
Costo)
13pF
Diodo Trr (min.)
230 ns
Funzione
per regolatori di tensione in modalità switching
Id(imp)
28A
Marcatura sulla cassa
TK7P60W
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
70W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
40 ns
Td(spento)
55 ns
Tecnologia
MOSFET (DTMOSIV)
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3.7V
Vgs(esimo) min.
2.7V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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