Transistor a canale N VNB35N07E, D²-PAK, TO-263, 70V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Capacità del gate Ciss [pF]: -. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 35A. Marcatura del produttore: VNB35N07-E. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 800 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +135°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:38