Transistor a canale N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
1.58fr
10-19
1.27fr
20-29
1.16fr
30-49
1.06fr
50-149
0.98fr
150+
0.95fr
| Quantità in magazzino: 349 |
Transistor a canale N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 60V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0029 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente di assorbimento massima: 200A. Potenza: 260W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
YJP200G06A
8 parametri
Tensione drain-source (Vds)
60V
Rds sulla resistenza attiva
0.0029 Ohms
Alloggiamento
TO-220AB
Corrente di assorbimento massima
200A
Potenza
260W
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Yangjie Electronic Technology