Transistor a canale N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms
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Transistor a canale N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0086 Ohms. Corrente di assorbimento massima: 70A. Potenza: 125W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:28
YJP70G10A
7 parametri
Tensione drain-source (Vds)
100V
Rds sulla resistenza attiva
0.0086 Ohms
Corrente di assorbimento massima
70A
Potenza
125W
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Yangjie Electronic Technology