Transistor a canale N ZVN2106G, SOT223
Qnéuantità
Prezzo unitario
1+
1.67fr
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Transistor a canale N ZVN2106G, SOT223. Alloggiamento: SOT223. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. DRUCE CORRENTE: 700mA, 0.7A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Resistenza allo stato: 2 Ohms. RoHS: sì. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 60V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Diodes Incorporated. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:22
ZVN2106G
12 parametri
Alloggiamento
SOT223
migliorato
Assemblaggio/installazione
SMD
DRUCE CORRENTE
700mA, 0.7A
Polarità
unipolari
Potenza
2W
Resistenza allo stato
2 Ohms
RoHS
sì
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
60V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Diodes Incorporated