Transistor a canale N ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 70V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 298pF. Costo): 35pF. Diodo Trr (min.): -. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 0uA. Id(imp): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 1.9 ns. Td(spento): 11.5 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: -. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:05