Transistor a canale P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Transistor a canale P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.02fr
5-9
1.69fr
10-24
1.52fr
25-49
1.40fr
50+
1.26fr
Quantità in magazzino: 3

Transistor a canale P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1040pF. Costo): 360pF. Funzione: SWITCHING, POWER MOS FET. ID (min): -. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Td(acceso): 24 ns. Td(spento): 47 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/source (spenta) min.: 4 v. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Nec. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:26

Documentazione tecnica (PDF)
2SJ449
25 parametri
ID (T=25°C)
6A
Idss (massimo)
100uA
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
250V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1040pF
Costo)
360pF
Funzione
SWITCHING, POWER MOS FET
Id(imp)
24A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
35W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.55 Ohms
Td(acceso)
24 ns
Td(spento)
47 ns
Tecnologia
P-CHANNEL POWER MOS FET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione gate/source (spenta) min.
4 v
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Nec