Transistor a canale P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Transistor a canale P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.51fr
5-24
1.25fr
25-49
1.05fr
50+
0.95fr
Quantità in magazzino: 101

Transistor a canale P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 450pF. Costo): 120pF. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 52 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:26

Documentazione tecnica (PDF)
2SJ584
24 parametri
ID (T=25°C)
4.5A
Idss (massimo)
100uA
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
250V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
450pF
Costo)
120pF
Funzione
Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us
Id(imp)
18A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
25W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.95 Ohms
Td(acceso)
30 ns
Td(spento)
52 ns
Tecnologia
transistor MOSFET al silicio
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Sanyo