Transistor a canale P AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V

Transistor a canale P AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.46fr
5-9
2.14fr
10-24
1.93fr
25+
1.75fr
Quantità in magazzino: 17

Transistor a canale P AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 35V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 990pF. Costo): 220pF. Diodo Trr (min.): 25 ns. Funzione: Convertitore DC/DC a commutazione rapida. ID (T=100°C): 15A. ID (min): 1uA. Id(imp): 80A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AP4415GH
29 parametri
ID (T=25°C)
24A
Idss (massimo)
25uA
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
35V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
990pF
Costo)
220pF
Diodo Trr (min.)
25 ns
Funzione
Convertitore DC/DC a commutazione rapida
ID (T=100°C)
15A
ID (min)
1uA
Id(imp)
80A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
31.25W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.036 Ohms
RoHS
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
20 ns
Tecnologia
"MOSFET di potenza in modalità potenziata"
Temperatura di funzionamento
-55°C...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
25V
Prodotto originale del produttore
Advanced Power