Transistor a canale P AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor a canale P AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.87fr
5-24
0.73fr
25-49
0.65fr
50-99
0.59fr
100+
0.51fr
Quantità in magazzino: 24

Transistor a canale P AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1440pF. Costo): 160pF. Diodo Trr (min.): 43 ns. Funzione: -. ID (T=100°C): 11A. ID (min): 10uA. Id(imp): 60A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.064 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AP9575AGH
29 parametri
ID (T=25°C)
17A
Idss (massimo)
250uA
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1440pF
Costo)
160pF
Diodo Trr (min.)
43 ns
ID (T=100°C)
11A
ID (min)
10uA
Id(imp)
60A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
36W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.064 Ohms
RoHS
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
45 ns
Tecnologia
"MOSFET di potenza in modalità potenziata"
Temperatura di funzionamento
-55°C...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Advanced Power