Transistor a canale P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 1.5A. Ids: 10uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -1.2A. C(in): 182pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 182pF. Condizionamento: rotolo. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 56pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Funzione: Single P-Channel, Logic Level. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -1.5A. Id(imp): 5A. Marcatura del produttore: 358. Marcatura sulla cassa: 358. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. RoHS: sì. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 3000. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00