Transistor a canale P FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. : migliorato. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1385pF. Carica: 40nC. Costo): 275pF. DRUCE CORRENTE: -8.8A. Diodo Trr (min.): 29 ns. Funzione: regolatore di carica della batteria. Id(imp): 50A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Polarità: unipolari. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Livello di protezione ESD HBM di 3,8 kV. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -30V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00