Transistor a canale P FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2890pF. Costo): 500pF. Diodo Trr (min.): 40 ns. ID (T=100°C): n/a. ID (min): n/a. Id(imp): 65A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 7.7m Ohms. RoHS: sì. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 210 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00