Transistor a canale P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -25V. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (massimo): 10uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.87 Ohms @ -0.5A. C(in): 63pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 63pF. Caratteristiche: -. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 34pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Funzione: Carica di input bassa. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -0.46A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 460mA. Id(imp): 1.5A. Informazioni: -. Marcatura del produttore: 304. Marcatura sulla cassa: 304. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Polarità: MOSFET P. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 1.22 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. RoHS: sì. Serie: -. Spec info: Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 55 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tipo di canale: P. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di transistor: MOSFET. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -25V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.65V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00