Transistor a canale P FQA36P15, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V

Transistor a canale P FQA36P15, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.50fr
5-14
4.07fr
15-29
3.77fr
30-59
3.53fr
60+
3.15fr
Quantità in magazzino: 240

Transistor a canale P FQA36P15, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2550pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 710pF. Diodo Trr (min.): 198 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 25.5A. ID (min): 10uA. Id(imp): 144A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 294W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.076 Ohms. RoHS: sì. Spec info: carica gate bassa (tipica 81nC). Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 155 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41

Documentazione tecnica (PDF)
FQA36P15
33 parametri
ID (T=25°C)
36A
Idss (massimo)
100uA
Alloggiamento
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3P
Voltaggio Vds(max)
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2550pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
710pF
Diodo Trr (min.)
198 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (T=100°C)
25.5A
ID (min)
10uA
Id(imp)
144A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
294W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.076 Ohms
RoHS
Spec info
carica gate bassa (tipica 81nC)
Td(acceso)
50 ns
Td(spento)
155 ns
Tecnologia
Tecnologia DMOS
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
30
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Fairchild