Transistor a canale P FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V
| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 3.42 fr | — |
| 5 – 9 | 2.45 fr | -28% |
| 10 – 19 | 2.29 fr | -33% |
| 20 – 49 | 2.20 fr | -36% |
| 50+Miglior prezzo | 2.11 fr | -38% |
Descrizione tecnica del prodotto (FQP3P50):
Transistor a canale P FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 10uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 510pF. Carica: 23nC. Condizionamento: tubus. Costo): 70pF. DRUCE CORRENTE: -2.7A. Diodo Trr (min.): 270 ns. ID (T=100°C): 1.71A. ID (min): 1uA. Id(imp): 10.8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Polarità: unipolari. Potenza: 85W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 3.9 Ohms. Resistenza allo stato: 4.9 Ohms. RoHS: sì. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Td(acceso): 35 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±30V. Tensione drain-source: -500V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v