Transistor a canale P GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V

Transistor a canale P GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
20.44fr
5-9
19.47fr
10-24
17.80fr
25+
17.17fr
Prodotto obsoleto, presto rimosso dal catalogo
Esaurito

Transistor a canale P GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1C ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1450pF. Corrente del collettore: 20A. Costo): 450pF. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Funzione: Transistor MOS IGBT a canale P. Ic(impulso): 60A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Spec info: amplificatore audio. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tipo di canale: P. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19

Documentazione tecnica (PDF)
GT20D201
21 parametri
Ic(T=100°C)
20A
Alloggiamento
TO-264 ( TOP-3L )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-264 ( 2-21F1C )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
250V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1450pF
Corrente del collettore
20A
Costo)
450pF
Diodo CE
no
Diodo al germanio
no
Funzione
Transistor MOS IGBT a canale P
Ic(impulso)
60A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
180W
RoHS
Spec info
amplificatore audio
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.7V
Tipo di canale
P
Voltaggio gate/emettitore VGE
20V
Prodotto originale del produttore
Toshiba