Transistor a canale P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V
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Transistor a canale P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 74A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3400pF. Carica: 120nC. Condizionamento: tubus. Costo): 1400pF. DRUCE CORRENTE: -74A. Diodo Trr (min.): 89 ns. Funzione: Ultra Low On-Resistance. ID (T=100°C): 52A. ID (min): 25uA. Id(imp): 260A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Resistenza allo stato: 20M Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 61 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -55V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00