Transistor a canale P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

Transistor a canale P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.29fr
5-24
1.97fr
25-49
1.75fr
50-99
1.60fr
100+
1.37fr
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Transistor a canale P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 74A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3400pF. Carica: 120nC. Condizionamento: tubus. Costo): 1400pF. DRUCE CORRENTE: -74A. Diodo Trr (min.): 89 ns. Funzione: Ultra Low On-Resistance. ID (T=100°C): 52A. ID (min): 25uA. Id(imp): 260A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Resistenza allo stato: 20M Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 61 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -55V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00

Documentazione tecnica (PDF)
IRF4905
37 parametri
Alloggiamento
TO-220
ID (T=25°C)
74A
Idss (massimo)
250uA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
3400pF
Carica
120nC
Condizionamento
tubus
Costo)
1400pF
DRUCE CORRENTE
-74A
Diodo Trr (min.)
89 ns
Funzione
Ultra Low On-Resistance
ID (T=100°C)
52A
ID (min)
25uA
Id(imp)
260A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Polarità
unipolari
Potenza
200W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.02 Ohms
Resistenza allo stato
20M Ohms
RoHS
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
61 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
-55V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier