Transistor a canale P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V

Transistor a canale P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V

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Transistor a canale P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -64A. Marcatura del produttore: F4905S. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:25

Documentazione tecnica (PDF)
IRF4905STRLPBF
17 parametri
Alloggiamento
D²-PAK
Custodia (standard JEDEC)
TO-263
Tensione drain-source Uds [V]
-55V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.02 Ohms @ -38A
Capacità del gate Ciss [pF]
3500pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
150W
Famiglia di componenti
MOSFET, P-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
-64A
Marcatura del produttore
F4905S
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
51 ns
RoHS
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
20 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
-4V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier