Transistor a canale P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2700pF. Carica: 120nC. Condizionamento: tubus. Costo): 790pF. DRUCE CORRENTE: -40A. Diodo Trr (min.): 170 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 29A. ID (min): 25uA. Id(imp): 140A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 79 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -100V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00