Transistor a canale P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-2
3.39fr
3-9
2.92fr
10-49
2.61fr
50+
2.59fr
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Transistor a canale P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 40A. Alloggiamento: TO-220AB. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:23
IRF5210PBF
7 parametri
Tensione drain-source (Vds)
-100V
Corrente di assorbimento massima
40A
Alloggiamento
TO-220AB
Rds sulla resistenza attiva
0.06 Ohms
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies