Transistor a canale P IRF5305PBF, -55V, 31A, TO-220AB
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
1.64fr
10-19
1.29fr
20-29
1.15fr
30-49
1.02fr
50-99
0.92fr
100+
0.88fr
| Quantità in magazzino: 162 |
Transistor a canale P IRF5305PBF, -55V, 31A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 31A. Alloggiamento: TO-220AB. Potenza: 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 06:37
IRF5305PBF
8 parametri
Tensione drain-source (Vds)
-55V
Corrente di assorbimento massima
31A
Alloggiamento
TO-220AB
Potenza
110W
Rds sulla resistenza attiva
0.06 Ohms
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies