Transistor a canale P IRF7314, SO, SO-8
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.74fr
5-49
0.59fr
50-94
0.49fr
95+
0.44fr
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Transistor a canale P IRF7314, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 19nC. DRUCE CORRENTE: -5.3A. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Numero di terminali: 8:1. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Quantità per scatola: 2. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 12V, ±12V. Tensione drain-source: -20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27
IRF7314
16 parametri
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Carica
19nC
DRUCE CORRENTE
-5.3A
Funzione
Transistor MOSFET a canale P
Numero di terminali
8:1
Polarità
unipolari
Potenza
2W
Quantità per scatola
2
Resistenza termica
62.5K/W
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET®
Tensione di gate-source
12V, ±12V
Tensione drain-source
-20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier