Transistor a canale P IRF7328, 8A, SO, SO-8, 30 v
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.13fr
5-24
0.97fr
25-49
0.85fr
50-94
0.78fr
95+
0.67fr
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Transistor a canale P IRF7328, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor Mosfet a doppio canale P, Resistenza ON RDS ultrabassa. ID (T=100°C): 6.4A. Id(imp): 32A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Quantità per scatola: 2. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di transistor: PNP & PNP. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43
IRF7328
16 parametri
ID (T=25°C)
8A
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Funzione
Transistor Mosfet a doppio canale P, Resistenza ON RDS ultrabassa
ID (T=100°C)
6.4A
Id(imp)
32A
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2W
Quantità per scatola
2
Rds sulla resistenza attiva
0.017 Ohms
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tipo di transistor
PNP & PNP
Prodotto originale del produttore
International Rectifier