Transistor a canale P IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1700pF. Costo): 890pF. Diodo Trr (min.): 56 ns. Funzione: Ultra Low On-Resistance. ID (T=100°C): 7.1A. ID (min): 1uA. Id(imp): 45A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 59 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.04V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43