Transistor a canale P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor a canale P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.33fr
5-24
1.18fr
25-49
1.10fr
50-94
0.96fr
95+
0.82fr
Quantità in magazzino: 59

Transistor a canale P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 150uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: circuiti di commutazione di laptop. ID (T=100°C): 7.1A. ID (min): 1uA. Id(imp): 160A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.039 Ohms. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 65 ns. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43

Documentazione tecnica (PDF)
IRF9310
26 parametri
ID (T=25°C)
20A
Idss (massimo)
150uA
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Funzione
circuiti di commutazione di laptop
ID (T=100°C)
7.1A
ID (min)
1uA
Id(imp)
160A
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2.5W
Protezione GS
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.039 Ohms
Td(acceso)
25 ns
Td(spento)
65 ns
Tecnologia
HEXFET Transistor MOSFET di potenza
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.4V
Vgs(esimo) min.
1.3V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier