Transistor a canale P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v
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Transistor a canale P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 150uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: circuiti di commutazione di laptop. ID (T=100°C): 7.1A. ID (min): 1uA. Id(imp): 160A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.039 Ohms. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 65 ns. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43