Transistor a canale P IRF9510PBF, TO-220, -100V, 4A, -100V, 4A, 500uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 4A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. C(in): 200pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 94pF. Diodo Trr (min.): 82 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 43W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 2.8A. ID (min): 100uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -4A. Id(imp): 16A. Marcatura del produttore: IRF9510PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Potenza: 43W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 15 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43